ivdon3@bk.ru
Проведено исследование морфологии поверхности и удельной электропроводности нанокристаллической пленки кремния на стеклянной подложке от мощности лазерного отжига. Лазерный отжиг осуществлялся Nd:YAG лазером с длиной волны 532 нм, скоростью перемещения предметного столика с образцом 5 мм/с и мощностью лазерного излучения в пределах от 34 до 86 Вт. Лазерный луч фокусировался на образце в виде узкой линии шириной 10 мкм и длиной 60 мм. Определены зависимости размера нанокристаллов и удельной электропроводности пленок кремния от мощности излучения лазерного отжига. Показано, что мощность лазерного излучения в диапазоне от 60 до 70 Вт является оптимальной для получения наилучших электрофизических параметров кремниевой пленки с целью её использования в высокоэффективных тонкопленочных солнечных элементах.
Ключевые слова: Пленка кремния, лазерный отжиг, морфология поверхности, удельная электропроводность, тонкопленочный солнечный элемент
01.04.07 - Физика конденсированного состояния , 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
В статье рассматривается проблема технологии изготовления гетероструктур пьезофаза – металл. Сложность заключаетсяв том, что в процессе удаления полимера в системе при низких температурах образуются пористые слои, образованные порошками, разделёнными слоями металла, имеющими островную макроструктуру. Один из способов решения проблемы – снижение температуры обжига гетероструктур. Предлагается снижение температуры спекания за счёт применения функционально активных стеклосодержащих фаз. Снижение температуры спекания изделий также позволяет заменить платиновые электроды на более дешёвые сплавы на основе серебра. Методом твердофазных реакций получен пьезокерамический материал обладающий низкой температурой спекания (980°С) и высокими электрофизическими параметрами. Установлено, что на свойства пьезоматериала влияет не только массовая доля стеклофаз, но и их качественный состав
Ключевые слова: гетероструктура, стеклофаза, температура спекания, пористость, сегнетофаза