ivdon3@bk.ru
Рассматривается метод регистрации голограмм с помощью современных цифровых камер. Для регистрации голограмм, полученных в оптических установках с наклонным опорным пучком, требуется высокое разрешение систем регистрации. Для этого необходимо использовать фотографические среды с разрешением 2000-4000 линий на мм. Использование фотопластинок требует достаточно большого времени на экспозицию и проявку (10-20 минут). В случае систем голографической интерферометрии необходимо предусмотреть установку голограммы обратно в оптическую установку с достаточно большой точностью. В последнее время появились сенсоры с размером одного элемента 0,86 мкм и числом элементов 60 Мп. Такое разрешение позволяет вернуться к схемам регистрации с углами между интерферирующими пучками 15-30 градусов. Восстановление изображения из голограммы осуществляется на компьютере. Это значительно снижает требования к используемым аппаратным ресурсам и расширяет возможности голографии. В статье показана возможность получения цветных изображений при использовании лазеров с разными длинами волн.
Ключевые слова: цифровая голография, фото матрицы с высоким пространственным разрешением, голография с наклонным опорным пучком, преобразование Фурье
1.3.6 - Оптика , 2.3.1 - Системный анализ, управление и обработка информации
Рассматривается метод регистрации голограмм с помощью цифровых камер с высоким пространственным разрешением. Для регистрации голограмм, полученных в оптических установках с наклонным опорным пучком, требуется высокое разрешение систем регистрации. Для этого необходимо использовать среды с разрешением 2000-4000 линий на мм. Использование фотопластинок требует достаточно большого времени на экспозицию и проявку, которая обычно делается отдельно от оптической установки. В случае систем голографической интерферометрии необходимо предусмотреть установку голограммы обратно в оптическую установку с достаточно большой точностью. Поэтому для регистрации голограмм на фотоматрицах, имеющих ограниченное разрешение, были разработаны методы цифровой голографии. Эти методы основаны на использовании оптических схемах при малых углах (менее 5 градусов) между интерферирующими пучками. В последнее время появились сенсоры с размером одного элемента 1,33 мкм и 0,56 мкм. Такое разрешение позволяет вернуться к схемам регистрации с углами между интерферирующими пучками 30-60 градусов. Это позволяет надеется на возрождение методов голографии и методов голографической интерферометрии на современном уровне без использования промежуточных сред для регистрации.
Ключевые слова: голография, голографическая интерферометрия, фотоматрицы с высоким пространственным разрешением, голография наклонным опорным пучком, цифровая голография, преобразование Фурье
1.3.6 - Оптика , 2.3.1 - Системный анализ, управление и обработка информации
Цинковые гальванические покрытия достаточно широко применяются как защитные покрытия деталей мобильной техники. Цинковые покрытия обладают высокой прочностью сцепления и могут применяться для восстановления размеров поверхностей деталей. Обеспечение высокой прочности сцепления покрытия с основой возможно только при тщательном соблюдении технологического процесса предварительной подготовки поверхности к осаждению и непосредственно самого осаждения. В данном случае, технологической надежностью подготовки деталей к цинкованию является величина, выраженная в процентах восстановленных деталей, имеющих высокую прочность сцепления. При этом, процесс подготовки рассматривается как техническая система, содержащей в качестве структурных элементов технологические операции. Совершенствование технологического процесса восстановления цинковым гальванопокрытием заключается в осуществлении анодного травления детали в рабочем электролите цинкования.
Ключевые слова: восстановление, осаждение покрытий, проточно-контактное осаждение, гальваномеханическое осаждение
В данной статье рассматривается проблема повышения производительности генераторов случайных чисел большой размерности. С учетом современных тенденций, в качестве ускорителя для CPU рассматриваются программируемые логические интегральные схемы (ПЛИС). Проводится анализ предлагаемых компанией Altera аппаратных реализаций алгоритмов генераторов случайных чисел. Предлагается использовать методику расчета прироста производительности Reconfigurable Amenability Test (RAT), предложенную B. Holland, K. Nagarajan и A. D. George. По этой методике производится оценка нескольких генераторов случайных чисел. Полученные результаты анализируется, и на основе сделанных выводов, производится симуляция алгоритмов, показывающих высокий показатель прироста производительности. Сравниваются результаты, полученные теоретически и в ходе симуляции.
Ключевые слова: Reconfigurable Amenability Test, программируемая логическая интегральная схема, генератор случайных чисел, высокопроизводительные вычисления, прогноз производительности
05.13.01 - Системный анализ, управление и обработка информации (по отраслям)
Рассматривается проблема обеспечения надежности бульдозеров, работающих на отсыпке оснований нефтегазовых объектов. Выявлены типичные отказы. Экспериментально установлены закономерности распределения наработок на отказ элементов ходовой части и двигателя. Показана адекватность логарифмически нормального закона распределения и закона Вейбулла.
Ключевые слова: бульдозеры, надежность, наработка на отказ, закон распределения, нефтегазовые объекты
Рассматривается практическая апробация использования программного модуля синтеза топологии в сквозном маршруте проектирования микросхем, построенного на базе модулей САПР одной из ведущих фирм, Cadence Design Systems. Совместимость системы с модулями Cadence достигается за счёт использования входных и выходных файлов в общепринятых форматах обмена проектами. Разработанная программная система может использоваться как на этапе трассировки соединений, так и полностью выполнять синтез топологии, решая задачи размещения элементов проекта и прокладки трасс. Разработанный маршрут апробирован на трёх проектах микросхем на основе аналого-цифрового БМК (КМОП-технология на объёмном кремнии с проектными нормами 2,6 мкм) и может быть использован при проектировании цифровых и аналого-цифровых микросхем на основе БМК, выполненных по технологии с одним слоем коммутации. Полученные положительные практические результаты позволяют сделать вывод о корректности разработанных алгоритмов и работы системы в целом.
Ключевые слова: топологический синтез, интегральная схема, маршрут проектирования, задачи размещения и трассировка
05.13.01 - Системный анализ, управление и обработка информации (по отраслям) , 05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
В работе предложена математическая модель и проведено моделирование вольт-амперных характеристик контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки, с учетом неоднородного распределения электрически активных примесей в полупроводнике. Разработанная математическая модель учитывает квантово-механические эффекты при переносе носителей заряда в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки и позволяет прогнозировать их вольт-амперные характеристики. Результаты моделирования хорошо согласуются с известными из литературы экспериментальными данными, разработанная математическая модель может быть использована в системах автоматизированного проектирования элементов интегральных микросхем.
Ключевые слова: Диод Шоттки; потенциал; уравнение Пуассона; вольт-амперная характеристика
Разработана автоматизированная система диагностики полупроводниковых структур, предназначенная для измерения вольт-амперных и вольт-фарадных харак¬теристик тестовых структур при различных температурах в широком диапазоне напряжений смещения. Автоматизированная система диагностики полупроводниковых структур позволяет с высокой достоверностью и оперативностью определять параметры глубоких энергетических уровней, профили распределения легирующих примесей, время жизни носителей заряда, энергетический спектр плотности поверхностных состояний и может быть использована при отработке и оптимизации технологических режимов формирования структур твердотельной электроники.
Ключевые слова: Диагностика, динамическая спектроскопия глубоких уровней, спектр, глубокие энергетические уровни, поверхностные состояния, профиль распределения примеси
Предлагается методика оценки величины коэффициента зернограничной диффузии атомов примеси в металлах путем построения графика зависимости отношения глубин объемной и зернограничной диффузий от отношения коэффициентов диффузии атомов примеси в них. Для этого используется численное решение диффузионной задачи Фишера, свободное от упрощений в моделировании процесса ЗГ диффузии, что позволяет применять методику в экспериментах с широким варьированием параметров диффузионного отжига. Приведены примеры использования методики для оценки величин коэффициента зернограничной диффузии меди в поликристаллическом никеле и отношения максимальных глубин диффузии серебра в зерне и межзеренной областях в субмикрокристаллической меди.
Ключевые слова: металлы, субмикрокристаллические и наноструктурированные материалы, зернограничная диффузия, коэффициент диффузии
01.04.07 - Физика конденсированного состояния , 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
Проведено моделирование процесса перераспределения атомов электрически активных примесей в электрическом поле области пространственного заряда диода Шоттки. Анализ результатов моделирования указывает на возможность контролируемого перераспределения легирующих примесей на глубинах порядка десятков нанометров, обусловленного диффузией электрически активных атомов в электрическом поле области пространственного заряда диода Шоттки.
Ключевые слова: диффузия, область пространственного заряда, диод Шоттки
Исследованы особенности модификации состава и структуры поверхности кремния электроискровой обработкой. Установлено, что электроискровая обработка поверхности чувствительного слоя приводит к увеличению её эффективной площади, увеличению плотности поверхностных состояний, а также к образованию в запрещенной зоне полупроводника глубоких энергетических уровней, обусловленных атомами материала электрода и дислокациями, что в совокупности позволит варьировать чувствительность и селективность сенсоров газов.
Ключевые слова: модификация поверхности, чувствительный слой, сенсор газа, электроискровая обработка
Разработана математическая модель распределения потенциала в приповерхностной области полупроводника при наличии в его запрещенной зоне глубоких энергетических уровней, обусловленных многозарядными примесными центрами. Результаты моделирования могут быть использованы для оценки ширины области пространственного заряда, прогнозирования наиболее вероятного механизма переноса носителей заряда в структуре металл-полупроводник с многозарядными глубокими энергетическими уровнями, а также величины барьерной емкости, что может найти применение при разработке приборов твердотельной электроники с улучшенными значениями отдельных параметров.
Ключевые слова: уравнение Пуассона, многозарядный примесный центр, распределение потенциала, глубокие энергетические уровни
Предложена конструкция актюатора, состоящего из тонких слоев диоксида кремния и алюминия. Выполнены расчеты скорости срабатывания и теплообмена актюатора. При условии оптимального подбора толщин слоев и оптимизации стадий технологического процесса, в особенности глубокого селективного травления кремния, могут быть получены наилучшие показатели по углу отклонения зеркала и скорости работы устройства. Чем больше разность между начальной температурой и температурой нагрева, тем сильнее опускается балка актюатора к плоскости пластины, и, соответственно, меньше угол подъема актюатора над поверхностью пластины. Таким образом возможно осуществлять управление углом наклона балки путем подбора соответствующего нагревателя и напряжения, обеспечивающего необходимую температуру. Приведена конструкция микрозеркала на основе предложенного актюатора. Разработанная конструкция микрозеркала на основе термостимулированного актюатора позволяет обеспечить управление наклоном зеркала в широких пределах.
Ключевые слова: кремний, термоактюатор, микромеханические системы, биморфная структура, микрозеркало
Рассматривается метод автоматического распознавания событий сна. В основе метода лежит анализ амплитудных гистограмм, построенных по каждому из регистрируемых каналов. Метод ориентирован на события сна, отличительной чертой которых является характерно выраженное амплитудное изменение, проявляемое на нескольких каналах одновременно. Такими событиями могут быть «Общее движение тела», «Движение конечностей», однако это ограничение не строго, метод, может быть, применим и к другим событиям, например «Храп». Построение и анализ гистограммы является первым этапом, всего алгоритм можно разделить на три этапа, этап построения и анализа гистограммы, этап вертикального анализ, этап обработки полученных результатов.
Ключевые слова: ПСГ, события сна, гистограмма, алгоритмы распознавания
05.11.17 - Приборы, системы и изделия медицинского назначения
Сведения об авторах выпуска №1 (2013)
Ключевые слова: авторы