ivdon3@bk.ru
Данная статья посвящена вопросу применения геосинтетических материалов в дренажных конструкциях, которые могут быть использованы на площадках нефтегазовых месторождений. В связи с развитием строительства и строительных материалов в мире, возникает необходимость применения технологий и решений, направленных на оптимизацию и снижение расходов на строительные работы, эксплуатацию объекта. В статье представлены структурные схемы классификации геосинтетических материалов по различным параметрам. Рассмотрены вопросы применения геосинтетиков и их функций в строительстве, в частности в дренажных конструкциях площадок нефтегазовых месторождений. Произведен анализ нормативно-технической базы в рамках проведенного исследования, описаны рассматриваемые нормативные документы. Изучение данной темы позволяет определить требуемый для геосинтетика набор свойств и функций, а также установить методом технико-экономического сравнения наиболее эффективные дренажные конструкции с использованием геосинтетических материалов, которые могут быть использованы в условиях реального объекта.
Ключевые слова: геосинтетический материал, дренажная конструкция, водопонижение, грунтовая вода, нефтегазовое месторождение
05.23.05 - Строительные материалы и изделия , 05.23.08 - Технология и организация строительства
Разработана математическая модель распределения потенциала в приповерхностной области полупроводника при наличии в его запрещенной зоне глубоких энергетических уровней, обусловленных многозарядными примесными центрами. Результаты моделирования могут быть использованы для оценки ширины области пространственного заряда, прогнозирования наиболее вероятного механизма переноса носителей заряда в структуре металл-полупроводник с многозарядными глубокими энергетическими уровнями, а также величины барьерной емкости, что может найти применение при разработке приборов твердотельной электроники с улучшенными значениями отдельных параметров.
Ключевые слова: уравнение Пуассона, многозарядный примесный центр, распределение потенциала, глубокие энергетические уровни
В работе выполнен теоретический анализ конструктивно-технологических ограничений в структуре лавинного фотодиода для режима счета фотонов. Показано, что критическими параметрами являются сопротивление нагрузки и постоянная времени перезарядки внутренней емкости фотодиода. Для снижения этой постоянной времени требуется ограничение размеров отдельной секции фотодиода и объединение нескольких таких секций на кристалле вместе со схемами регистрации.
Ключевые слова: Лавинный фотодиод, режим счета фотонов, конструктивно-технологические ограничения, модель лавинного пробоя.
Ключевые слова:
05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
Рассматриваются тенденции развития полупроводниковой наноэлектроники в мире в условиях глобализации. Выявлены основные пути развития информационных технологий и возможности снижения неоправданных затрат, прежде всего, через глобальную унификацию технических решений ( например, международная система стандартизации), через создание глобальных альянсов, целью которых является раздел секторов рынка и обмен техническими достижениями и путем разработки национальных программ развития информационных технологий, объединяющих усилия государства и частного сектора. Дан прогноз возможного развития наноэлектронной промыщленности в России.
Ключевые слова: Полупроводниковая микросхема, Производство микросхем, Глобализация, Полупроводниковые наноразмерные приборы, Информационные сети, Разработка микросхем, Средства проектирования.
Ключевые слова:
05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
В работе предложена модифицированная модель кремниевого биполярного транзистора, позволяющего учесть частотную зависимость электромагнитных сигналов, распространяющихся в подложке. Необходимость такой модификации появилась в связи с тем, что экспериментальные исследования и моделирование перекрестных помех в системе металлизации на кремниевой подложке показали, что традиционные модели на основе сосредоточенных элементов плохо описывают взаимное влияние сигналов на гигагерцовых частотах. Показано, что основным методом конструктивного проектирования высокочастотных аналоговых схем является разреженное распределение элементов схемы и экранирование высокочастотных цепей. Обеспечение воспроизводимости и стабильности параметров достигается за счет дополнительных устройств коррекции и стабилизации, т.е. осуществляется схемотехническими средствами.
Ключевые слова: биполярные гетероструктурные транзисторы с базой в слое кремний-германий, воздействие ионизирующих излучений на параметры транзисторов; учет влияния подложки при моделировании аналоговых блоков, стабилизация и коррекция параметров аналоговых блоков схемотехническими средствами.
Ключевые слова:
05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
Сведения об авторах выпуска №2 за 2012 год
Ключевые слова: авторы