ivdon3@bk.ru
Предложен новый класс материалов, изменяющих свою диэлектрическую проницаемость в зависимости от напряженности магнитного поля. Такие материалы представляют собой двухфазные композиты состава La0.7Sr0.3MnO3/I, где I – изолирующая фаза, Li4P2O7 или GeO2. Соотношение компонентов находится вблизи порога перколяции: от 10 % до 20 % массовых. Диэлектрические свойства изучены в диапазоне частот измерительного поля от 1 kHz до 1 МHz в магнитных полях от 0 до 15 kOe. Образцы имеют индуктивный импеданс, их диэлектрическая проницаемость отрицательна. В магнитном поле диэлектрическая проницаемость возрастает по абсолютной величине и при комнатной температуре значения магнитодиэлектрического коэффициента достигают 28 %.
Ключевые слова: манганит лантана стронция, композитный материал, керамика, одношаговый синтез, магниторезистивность, порог перколяции, диэлектрическая проницаемость, барьерный слой, туннелирование, спиновая поляризация
Отлажена методика механосинтеза сегнетоэлектрических материалов со структурой перовскита без примесных фаз. Получены спектры рентгеновского поглощения за L3 – краями Pb и Ta, измерены размеры областей когерентного рассеяния (D), микродеформации (Δd/d) релаксорного сегнетоэлектрика PbSc0.5Ta0.5O3 (PST) до и после механоактивации - интенсивного силового воздействия в сочетании со сдвиговой деформацией (СВСД), реализуемой в наковальнях Бриджмена. На основе теоретического анализа спектров поглощения XANES за L3 – краем Ta определены изменения в результате механоактивации в ближней локальной атомной и электронной структуре PST.
Ключевые слова: "Сегнетоэлектрические материалы, механоактивация, XANES, дефекты "
Разработана конструкция ПАВ сенсора CO. Датчик на ПАВ содержит приемопередающий ВШП и отражательный ВШП, который нагружен на импеданс наностержней оксида цинка. В результате Фурье преобразования временной зависимости импульсного отклика отчетливо виден пик отражения ПАВ от ВШП, нагруженного на сопротивление параллельно соединенных ZnO наностержней, величина которого зависит от концентрации CO.
Ключевые слова: ZnO наностержни, устройство на поверхностных акустических волнах, сенсор CO
Рассмотрена конструкция датчика на поверхностных акустических волнах (ПАВ) для измерения параметров газовых и жидких сред, представляющего линию задержки с однонаправленными встречно-штыревыми преобразователями (ВШП). Исследован коэффициент отражения ПАВ от однонаправленного ВШП, нагруженного на изменяющийся импеданс. На зависимости коэффициента отражения от величины сопротивления имеется почти линейный участок при значениях сопротивления более 50 Ом. Разработана новая конструкция и методика получения связанных решеток наностержней оксида цинка, имеющих общее сопротивление в диапазоне 50-250 Ом, которая подключается к отражательному ВШП в качестве нагрузки.
Ключевые слова: пассивные датчики, ZnO нанопровода,поверхностные акустические волны, встречно-штыревой преобразователь.
Ключевые слова:
01.04.07 - Физика конденсированного состояния , 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
Методом карботермического синтеза на подложках a-Al2O3 с тонкопленочными подслоями ZnO:Ga, с использованием меди в качестве катализатора роста получены массивы стержней оксида цинка различной морфологии. Установлено, что рост стержней происходит в перпендикулярном к подложке направлении при использовании более тонких (~ 1 нм) слоев катализатора. При увеличении толщины слоя катализатора до 3 нм рост стержней происходит под углом к поверхности со взаимной ориентацией стержней в плоскости поверхности подложки под углами, кратными 60о. Также, продемонстрирована селективность роста массивов стержней ZnO на участках подложки покрытых катализатором.
Ключевые слова: оксид цинка, микро - и наностержни, карботермический метод синтеза, пленочный подслой, катализатор роста.
Ключевые слова:
Методом карботермического синтеза на подложках кремния с тонкими пленочными подслоями оксида цинка, с использованием меди в качестве катализатора роста получены массивы вертикально ориентированных стержней оксида цинка. Определена оптимальная температура роста этих структур – 770 оС. Установлено, что при температурах на 50 оС выше и ниже данной (820 оС и 720 оС, соответственно) рост стержней подавляется. Показана возможность варьирования средней длины и диаметра стержней путем изменения толщины пленочного подслоя в диапазоне 50 – 100 нм. При толщинах подслоев вне указанного диапазона рост массивов вертикально ориентированных стержней оксида цинка также подавляется.
Ключевые слова: оксид цинка, микро- и наностержни, карботермический метод синтеза, пленочный подслой, катализатор роста.